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第一章半导体基础简介
半导体基础简介
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●1.1半导体材料
半导体材料
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●1.2半导体材料的导电性
半导体材料的导电性
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●1.3硅衬底
硅衬底
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●1.4硅的掺杂I-热扩散
硅的掺杂I-热扩散
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●1.5硅的掺杂II-离子注入
硅的掺杂II-离子注入
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第二章MOSFET器件原理与进展
MOSFET器件原理与进展
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●2.1MOSFET器件的工作原理
MOSFET器件的工作原理
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●2.2MOSFET器件的电学特性
MOSFET器件的电学特性
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●2.3短沟道效应
短沟道效应
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●2.4薄沟道MOSFET器件
薄沟道MOSFET器件
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●2.5FinFET与SOI器件
FinFET与SOI器件
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第三章集成电路制造与MOSFET器件微缩
集成电路制造与MOSFET器件微缩
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●3.1集成电路制造概述
集成电路制造概述
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●3.2光刻技术原理
光刻技术原理
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●3.3光刻工艺的分辨率提升
光刻工艺的分辨率提升
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●3.4先进图形化技术_I
先进图形化技术_I
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●3.5先进图形化技术_II
先进图形化技术_II
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第四章高迁移率沟道技术
高迁移率沟道技术
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●4.1MOSFET器件的等效微缩
MOSFET器件的等效微缩
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●4.2MOSFET器件中的载流子迁移率
MOSFET器件中的载流子迁移率
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●4.3应变硅技术的原理
应变硅技术I-应变硅技术的原理
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●4.4应变硅技术的实现_I
应变硅技术的实现_I
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●4.5应变硅技术的实现_II
应变硅技术的实现_II
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第五章先进栅极堆垛技术
先进栅极堆垛技术
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●5.1硅的热氧化
硅的热氧化
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●5.2薄膜沉积技术
薄膜沉积技术
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●5.3High-k/Metal Gate技术原理
High-k/metal-gate技术原理
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●5.4先进High-k/Metal-gate技术
先进High-k/Metal-gate技术
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●5.5Scavenging技术
Scavenging技术
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第六章集成电路器件中的寄生效应
集成电路器件中的寄生效应
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●6.1寄生电阻
寄生电阻
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●6.2寄生电阻的抑制
寄生电阻的抑制
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●6.3寄生电容
寄生电容
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●6.4互联寄生
互联寄生
