课程简介
这门课将讲解双极型晶体管和MOS场效应晶体管的工作原理，介绍这两种器件的特性和模型，讲解影响器件特性的主要因素和晶体管中的常见非理想效应，介绍小尺寸MOS器件的发展动态，为设计、分析和应用半导体器件做准备。建议每周3-5小时。
课程大纲
p-n结
1.0 要点回顾
1.1 基本结构
1.2 直流特性
1.3 频率特性
1.4 开关特性
双极型晶体管
2.0 晶体管的发明
2.1 基本结构
2.2 电流放大原理
2.3 直流特性
2.4 反向特性
2.5 晶体管的模型
2.6 频率特性
2.7 开关特性
MOSFET的基本特性
3.0 MOSFET的发明
3.1 MOSFET的结构和工作原理
3.2 MOSFET的阈值电压
3.3 MOSFET的直流特性
3.4 MOSFET的频率特性
3.5 MOSFET的开关特性
3.6 MOSFET的功率特性
小尺寸MOSFET的特性
4.1 MOSFET的SCE和NWE
4.2 小尺寸MOSFET的直流特性
4.3 MOSFET的按比例缩小规律
1.0 要点回顾
1.1 基本结构
1.2 直流特性
1.3 频率特性
1.4 开关特性
双极型晶体管
2.0 晶体管的发明
2.1 基本结构
2.2 电流放大原理
2.3 直流特性
2.4 反向特性
2.5 晶体管的模型
2.6 频率特性
2.7 开关特性
MOSFET的基本特性
3.0 MOSFET的发明
3.1 MOSFET的结构和工作原理
3.2 MOSFET的阈值电压
3.3 MOSFET的直流特性
3.4 MOSFET的频率特性
3.5 MOSFET的开关特性
3.6 MOSFET的功率特性
小尺寸MOSFET的特性
4.1 MOSFET的SCE和NWE
4.2 小尺寸MOSFET的直流特性
4.3 MOSFET的按比例缩小规律
